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静电的产生和危害

   现在都是追求完美精细到每个细节当中,良好的产品品质影响了你的企业的质量,防静电无尘布作为防静电的一种保护的工业品,下面达斯特福瑞科技有限公司为你讲解一下静电的由来和危害。
一、 静电的产生
当一个物体与其它物体摩擦、接触,并由于机械作用分离时,因两种物体的摩擦起电序列
不同,在各个物体上产生静电,并在外部形成静电场。
电效应、压电效应、导体(或电介质)的静电感应都可产生静电。
二、 静电的危害
1、 吸附尘埃
物体产生静电后,在起周围形成静电场,两个物体间产生吸引,其静电力仅为几到数百毫
克,但对重量仅为几毫克或更低的毛发、纸屑、尘埃、纤维的吸附作用非常明显。
在现代大规模集成电路生产中,芯片的线宽已达到0.1 微米,一颗直径几微米的尘埃吸附
在芯片上,可以造成十几根芯线之间的绝缘强度降低、或造成短路使芯片损坏。
2、 静电放电
但物体带上静电荷后,静电电位是很高的,当达到约2000V时,可以向空气放电,瞬间的
放电电流峰值可以达几安培以上。
静电放电可使集成电路芯片介质击穿,芯线熔断,漏电流增大,加速老化、电性能参数改
变等等。静电放电对芯片损坏具有潜在和缓慢失效性,这种危害性更大。
3、 静电感应
当物体置于静电场中,静电感应电位可达数千伏以上,这样高的静电电压不但具有静电放
电的危险性,而其感应放电产生的宽频带干扰可对计算计和低电平数字电路发生翻转效应或导
致仪器(表)运行失常。
三、 静电放电敏感器件
静电放电敏感器件简称ESDS器件或SSD 器件,SSD器件可以被几十伏的静电损坏。常见
SSD 器件有:
1、 微波器件(肖特基势垒二极管、点接触二极管和其它工作频率>1GHz 检波二极管);
2、 离散型MOS场效应晶体管;
3、 声表面波(SAW)器件;
4、 结型场效应晶体管(JEETs);
5、 电荷耦合器件(CCDs);
6、 精密稳压二极管
7、 运算放大器(OP AMPs);
8、 薄膜电阻器
9、 集成电路;
10、 使用1元器件的混合电路;
11、 超高速集成电路(VHSIC;
12、 环境温度100度时,Io<0.175A的晶体闸流管SCRs)。
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